|
AM TX Class E SiC 2023 12 Передатчик класс Е на мосфет
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, 2024-Янв-28, 23:16 | Сообщение # 16 |
 опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 609
Статус: Offline
| И ещё вопрос. У китайского продавца есть вот такая таблица. Судя по ней, для стокового дросселя кольцо "альсифер" на 3МГц нужно брать с проницаемостью 60? Оно эффективнее будет работать, чем с проницаемостью 125?
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Понедельник, 2024-Янв-29, 00:39 | Сообщение # 17 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 609
Статус: Offline
| Может быть кому будет интересно. Смоделировал схему (кроме драйвера), максимально приближённую к схеме из 1 поста. К сожалению, база данных программы ограничена на элементы, карбид-кремния там нет, поэтому взял два обычных мосфета ТО-220. В принципе, если использовать оригинальные IRF740, разместить их на радиаторе через оксид-алюминиевые прокладки, и, как говорится, "глубоко вдохнуть и не дышать", 160Вт с них в пике 100% модуляции можно получить.
На осциллографе сигнал на стоках, клетка 100В.
|
| |
| |
| milcin-aleksandr-1986 | Дата: Понедельник, 2024-Янв-29, 08:21 | Сообщение # 18 |
|
продвинутый
Группа: Друзья
Сообщений: 475
Статус: Offline
| Вы не учитываете, что в моделировании элементы идеальны,
по факту характеристики транзистора делим на два в лучшем случаи на 1,5 раза.
Так же и с кольцами.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Понедельник, 2024-Янв-29, 11:22 | Сообщение # 19 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 609
Статус: Offline
| Цитата milcin-aleksandr-1986 (  ) Вы не учитываете, что в моделировании элементы идеальны,
Почему же, очень даже учитываю. Все эти моделирования помогают просто комплексно понять, как тот или иной элемент, или схемотехника меняют общую картину. Вот, например, "сглаживающий" конденсатор между С-И. В предыдущем сообщении он стоит на 470пф и выходную мощность, нагрев транзисторов и сигнал на стоках видно. А вот эксперимент, если этот конденсатор не ставить, условно 1пф. IRF740 рассчитан на 400В С-И максимум, и программа просто ограничивает его работу выше этого напряжения. В реальности же, никакого ограничение нет, напряжение поднимется вольт до 500-600 и мосфет сразу прошьёт по напряжению. Такое высокое напряжение появляется из-за стокового накопительного дросселя, из-за ЭДС самоиндукции. Клетка на осциллографе теперь не 100, а 200В.
По моделированию это сразу и удобно видно, по нагреву мосфетов. В реальности, почти 40Вт тепла ни один ТО-220 транзистор, даже оригинальный не выдержит. Так что, моделирование это не панацея, но, удобный "дополнитель" понимания процессов).
Пару сообщений назад я задавал вопрос, какое всё же лучше брать кольцо для стокового дросселя, 60мю или 125мю? (для 3МГц). И по размеру кольца. На схеме из 1 сообщения размер кольца указан Т106, это 26мм диаметр. А 40мм диаметром нормально? Логика подсказывает, что, чем больше будет кольцо, тем больше энергии оно будет запасать и меньше греться, то есть, КПД передатчика будет выше.
|
| |
| |
| shwonder | Дата: Понедельник, 2024-Янв-29, 11:47 | Сообщение # 20 |
 просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3291
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 ( ) На осциллографе сигнал на стоках, клетка 100В
Реально там по классике для выходного каскада класса Е , есть небольшое неоптимально.
Точная картинка в посте 13, там есть напряжение на затворе (почти меандр) и напряжение на стоке(через делитель на 100). Импульсы стокового напряжения обычно 3.5 напряжения питания, это оптимальное значение. Можно подобрать шунтирующим конденсатором, это тот который паралельно каналу исток-сток.
Цитата kotrad78 ( ) Кольца "альсифер" на Али ищутся как "Sendust Magnetic Cores"?
Цитата kotrad78 ( ) для стокового дросселя кольцо "альсифер" на 3МГц нужно брать с проницаемостью 60?
Цитата kotrad78 ( ) Настройка следующая:
Цитата milcin-aleksandr-1986 ( ) по факту характеристики транзистора делим на два в лучшем случаи на 1,5 раза. |
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Понедельник, 2024-Янв-29, 12:31 | Сообщение # 21 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 609
Статус: Offline
| Цитата shwonder ( ) Если это сигнал на стоке, то откуда там заполнение в отрицательную область стокового напряжения. Те диоды, которые стоят паралельно каналу мосфета, погоды не делают , сильно медленные они. Но все равно откуда минус ?
Не могу знать, может быть, так и должно быть?) Отключил модуляцию, на выходе одна несущая.
Вот, более развёрнутая осциллограмма. Измерение на осциллографе переменного напряжения.
Красный график - затворы, клеточка 5В
Зелёный график - стоки, клеточка 50В
Если на осциллографе поставить измерение постоянного напряжения, то, отрицательная часть пропадёт))
|
| |
| |
| shwonder | Дата: Понедельник, 2024-Янв-29, 12:34 | Сообщение # 22 |
|
просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3291
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 ( ) Если на осциллографе поставить измерение постоянного напряжения, то, отрицательная часть пропадёт)) |
| |
| |
| shwonder | Дата: Пятница, 2024-Фев-02, 13:31 | Сообщение # 23 |
|
просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3291
Статус: Offline
| как то незаметно отклонились от темы.
Получил платы этого передатчика. Пока не пробовал. В работе проверялся только макет.
Давно хотел сделать модулятор класса Д на дискретных элементах.
У ШИМ для источников питания есть некрасивый момент , это связано с обратным ходом пилы и забирает порядка 5-10% размаха напряжения на выходе. Поэтому нарисовал модулятор на дискретных элементах, собрал макет - ОК.
Построен так : генератор прямоугольника 74нс4060 + интергратор НЕ5532 + компаратор лм319 , дальше ка обычно ир2110 и силовые полевики.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Пятница, 2024-Фев-02, 15:53 | Сообщение # 24 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 609
Статус: Offline
| Цитата shwonder ( ) как то незаметно отклонились от темы.
Почему же отклонились. Защита транзисторов – довольно важная часть передатчика.
Я тут нашёл ещё одну интересную деталь. Сдвоенная комплиментарная пара полевых транзисторов, созданная как раз для умощнения выхода драйвера.
AP4525GEH
- сопротивление открытого канала в 2 раза ниже, чем у IRF540
- ёмкость затвора в 2-3 раза ниже(0.5-0.9 nf), чем у IRF540 (2-2.6 nf)
- энергия заряда затвора 14 nС, у IRF540 71 nС
- время спада заряда затвора 4 nS, у IRF540 35 nS
- время восстановления паразитного диода 20 nS, у IRF540 115 nS
И самое главное! Среднее напряжение (З-И) открытия около 2-2.5В, а у IRF540 около 4-4.5В. То есть, с такой транзисторной парой не придётся больше никогда на 74HC541 подавать опасное 8В питание, хватит и паспортных 6В. Даже можно попробовать 5В подать.
 
Как вам радиодеталь?)
p.s. Заказал сейчас на Али. Как приедут, буду экспериментировать). Не сочтите за рекламу, заказывал тут: https://aliexpress.ru/store/2383059?g=y&page=1 Нужно в личные сообщения продавцу написать, он даст ссылку на эти транзисторы. 4.5$ за 10шт. Просто у этого продавца всегда оригинальные детали, хоть и дорого. А вот тут, откровенная подделка, хоть и магазин крупнейший, очень дёшево, не попадитесь: https://aliexpress.ru/item/32714035686.html
Сообщение отредактировал kotrad78 - Пятница, 2024-Фев-02, 16:13 |
| |
| |
| shwonder | Дата: Вторник, 2024-Фев-06, 11:24 | Сообщение # 25 |
|
просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3291
Статус: Offline
| модулятор на дискретных элементах.
Схема .
Есть вопрос по входному ФНЧ , тот который на ОУ А2, на макете сильно высокая частота среза, а хочется 4.5-5 кгц. Есть намерения просто поменять номиналы элементов фильтра для хотелочного результата.
Может кто предложит ?
На симуляторе это можно сделать быстрее.
|
| |
| |
| bakushka38 | Дата: Вторник, 2024-Фев-06, 11:59 | Сообщение # 26 |
|
практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 127
Статус: Offline
| shwonder,
Смоделирую, только бы чуть больше разрешение исходного фрагмента.
1. Линейный вход мимо ФНЧ запущен, так специально надо? Может было бы лучше 2 развязанных входа на первом ОУ сделать?
Тогда бы и 3й не понадобился...
2. Если С11 и С13 планировались, как фильтрующие, тогда перед ними пропущены резисторы, хотя бы 1кОм.
Фильтр предполагает RC цепочку.
Сообщение отредактировал bakushka38 - Вторник, 2024-Фев-06, 12:12 |
| |
| |
| shwonder | Дата: Вторник, 2024-Фев-06, 12:10 | Сообщение # 27 |
|
просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3291
Статус: Offline
| а так ?
желательно не менять топологию, а только номиналы элементов.
|
| |
| |
| bakushka38 | Дата: Вторник, 2024-Фев-06, 12:16 | Сообщение # 28 |
|
практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 127
Статус: Offline
| Тогда уже и сумматор до кучи.
|
| |
| |
| shwonder | Дата: Вторник, 2024-Фев-06, 12:17 | Сообщение # 29 |
|
просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3291
Статус: Offline
| Цитата bakushka38 ( ) 1. Линейный вход мимо ФНЧ запущен, так специально надо?
Цитата bakushka38 ( ) 2. Если С11 и С13 планировались, как фильтрующие,
та я б выложил файл Сплан, но он сильно большой , не цепляется, можно почтой.
Надо что то придумать.
А пока так :
|
| |
| |
| bakushka38 | Дата: Вторник, 2024-Фев-06, 12:29 | Сообщение # 30 |
|
практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 127
Статус: Offline
| Цитата shwonder ( ) да , так и будет
Зачем мимо? Просто я не в курсе, серьезно... Если это вход, например, от РС или другого источника.
Может специально для измерений каких?
Да, С11, С14.
Блокировочные емкости - по сути, это фильтры.
Уже моделирую
Сообщение отредактировал bakushka38 - Вторник, 2024-Фев-06, 12:31 |
| |
| |
|
