|
GaN транзисторы для передатчиков - пора переходить?
| |
| kotrad78 | Дата: Понедельник, 2024-Сен-02, 17:44 | Сообщение # 1 |
 мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Как вы знаете, сначала были кремниевые мосфеты, потом карбид-кремниевые, и сейчас, самые последние - нитрид-галиевые или GaN.
Каждый месяц смотрю разные магазины, сайты, в общем, слежу, когда они станут доступными по цене для нас, и когда появятся с такими параметрами, чтобы можно было работать на 3МГц.
И кажется, это время настало). Смотрите таблицу:
Слева - обычный карбид-кремниевый от компании SupSic. На такого типа карбидах я сейчас делаю передатчик и модулятор.
Вторая колонка, это помесь нитрид-галия и карбид-кремния, CID10N65F от компании Tokmas, даташит: https://www.lcsc.com/datashe....732.pdf
И последняя колонка, чистый нитрид-галиевый полевик, CID19N65 от компании Tokmas, даташит: http://www.tokmas.com/upload....661.pdf
Теперь, разбираем их параметры.
1. По току - все три транзистор подходят для работы как в модуляторе, так и в передатчике, классе Е и двухтакте.
2. По напряжению галиевые, конечно меньше карбидов, но, всё равно гораздо надёжнее старых, кремниевых, т.к. 650-750В это большой запас.
3. Сопротивление канала у галивых чуть меньше, чем у карбидов.
4. Рассеиваемая мощность у всех отличная. ТО-220F - это транзистор, у которого фланец покрыт пластиком. Я имел уже дело с ними, 5 минут на точильном бруске - стачиваем пластмассу и получаем обычные ТО-220, с медной подложкой и медным фланцем.
5. Входная ёмкость у галиевых - просто сказка! Там и до 15-20МГц их можно будет легко использовать.
6. Скорость переключения так же отличная у галиевых
7. У карбид-галиевого, или галиево-карбидного обратного паразитного диода вообще нет.
8. И самое главное!! Все галиевые мосфеты полностью открываются примерно от +3..5В на затворе. Это - самый самый главный плюс, то есть, не нужно будет больше делать сложные драйверы с 15 и 18В питанием. Наверное, можно будет даже раскачивать старой, 541-й микросхемой.
И цена. Гибридный карбид-галиевый уже есть в продаже и стоит около 1$, что в 5 раз меньше карбид-кремниевого. Тот, что в корпусе ТО-220, чистый галиевый, сколько стоит пока не знаю, написал запрос поставщику.
Что скажете? Будущее наступило?))
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Понедельник, 2024-Сен-02, 23:02 | Сообщение # 2 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 (  ) ТО-220F - это транзистор, у которого фланец покрыт пластиком. Я имел уже дело с ними, 5 минут на точильном бруске - стачиваем пластмассу и получаем обычные ТО-220, с медной подложкой и медным фланцем.
Решил провести эксперимент. Нашёл биполярные транзисторы 2SC6144SG в пластмассовом корпусе ТО-220F и решил проверить, на сколько снизится их нагрев, если сточить пластик снизу до медной подложки.
В ходе эксперимент выяснил, что эти транзисторы - подделка, кристалл вообще мизерный. Ну, я и покупал их ещё фиг знает когда, когда про подделки плохо знал:
В общем, с поддельным кристаллом эксперимент, конечно не полностью правильный. Но, даже так, результат всё равно есть.
Сточил пластик снизу до медной подложки.
Вот результаты:
1. Транзистор без обработки на радиаторе. Дельта температур между самой горячей точкой корпуса и алюминиевым радиатором 22.2 градуса:
2. Транзистор после зачистки основания до медной подложки. Дельта снизилась до 11.4 градусов.
3. И тот же эксперимент, но, с оксид-алюминиевой диэлектрической прокладкой между транзистором и радиатором. Дельта, конечно поднялась, 16.3 градуса:
В общем, какой можно сделать вывод.
Стачивание пластика до медной подложки даёт заметное снижение нагрева транзистора. Так что, думаю GaN транзисторы CID10N65F в корпусе ТО-220F можно будет попробовать заказать, чтобы протестить их для передатчика. Спросил у поставщика, 17$ за 10шт, что нормально, закажу).
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Вторник, 2024-Сен-03, 01:05 | Сообщение # 3 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 ( ) 8. И самое главное!! Все галиевые мосфеты полностью открываются примерно от +3..5В на затворе. Это - самый самый главный плюс, то есть, не нужно будет больше делать сложные драйверы с 15 и 18В питанием. Наверное, можно будет даже раскачивать старой, 541-й микросхемой.
Решил попробовать разные микросхемы, которые у меня есть в качестве драйвера для раскачки GaN мосфетов. Смысла плохие выкладывать нет, выложу сразу хорошую.
Это компаратор TLV3501AID в корпусе SOP-8 (заказывал через личные сообщения у этого продавца: https://aliexpress.ru/store/2383059 , минимальное количество, на которое согласился продавец 3шт за 9$)
У меня уже была макетка на ней, поэтому на выход просто подключил два кондёра по 200пф последовательно, чтобы в сумме было 100пф. Ёмкость затвора у GaN мосфетов 40-130пф, поэтому такой эксперимент будет полностью корректным.
Схема:
Фото макетки:
Никакие затворные или разрядные резисторы на выход компаратора не ставил. В следующем сообщении покажу результаты.
Сообщение отредактировал kotrad78 - Вторник, 2024-Сен-03, 01:17 |
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Вторник, 2024-Сен-03, 01:14 | Сообщение # 4 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Питание +5В.
1. Частота 1.7МГц, нагрузка 100пф, потребляемый драйвером ток 6мА, форма сигнала - идеальная, микросхема холодная.
2. Частота 3МГц, нагрузка 100пф, потребляемый драйвером ток 7мА, форма сигнала - идеальная, микросхема холодная.
3. Частота 6.6МГц, нагрузка 100пф, потребляемый драйвером ток 8мА, форма сигнала - отличная, микросхема холодная.
4. Частота 11МГц, нагрузка 100пф, потребляемый драйвером ток 11мА, форма сигнала - хорошая, микросхема холодная.
5. Частота 20МГц, нагрузка 100пф, потребляемый драйвером ток 15мА, форма сигнала - на троечку, микросхема еле тёплая.
Итог и Вывод.
Для GaN мосфетов по сути не нужны специализированные драйверы, это их огромный и самый главный плюс!! Хватит обычных компараторов и буферов. Главное, выше 5В на затвор не подавать, т.к. у большинства GaN предел в 6-7В, потом срабатывает защита.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Вторник, 2024-Сен-03, 01:28 | Сообщение # 5 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| И смотрите, какой ещё GaN транзистор нашёл CID10N65E3, даташит: https://www.lcsc.com/datashe....699.pdf
Да, он в мелком ТО-252 корпусе. НО!!!! У него фланец - это Исток!! Представляете??? Наконец-то производитель транзисторов стал сделать фланец - Истоком!! То есть этот транзистор можно будет припаять на любую медную пластинку, а её уже прикрутить без всяких прокладок сразу на массу, на корпус передатчика или радиатора! А по параметрам - он такой же мощный, как и в первом сообщении. Параметры одинаковые.
Написал поставщику, эх, хоть бы был в продаже и хоть бы был не дорогой.. p.s. 12.5$ за 10шт!! Заказал.
Сообщение отредактировал kotrad78 - Вторник, 2024-Сен-03, 10:54 |
| |
| |
| kraftserg611 | Дата: Среда, 2024-Сен-04, 21:48 | Сообщение # 6 |
|
любопытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 66
Статус: Offline
| подождем пока появятся в украине
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Пятница, 2024-Сен-27, 23:33 | Сообщение # 7 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Приехали первые GaN транзисторы CID10N65F в корпусе ТО-220F от компании Tokmas, даташит: https://www.lcsc.com/datashe....732.pdf
Заказывал у этого продавца https://aliexpress.ru/store/2383059 через личные сообщения, уговорил на пробу продать 5шт за 10$ (сам продавец предлагал 10шт за 17$)
Фото:
Примерные параметры тестера:
Собрал измерительный макет вот по такой схеме:
Драйвер для раскачки гана никакой не использовал!! То есть, подавал слабенький по мощности сигнал прямо с генератора (UTG932E). Транзистор начинает открываться от +1.5В амплитуды на входе, уже более менее рабочий режим получается при +3В амплитуды на входе. Оптимальный уровень входного сигнала +5В амплитуды на затворе. Выше +7В срабатывает защита внутри транзистора, наверное, там что-то вроде стабилитрона или TVS диода стоит. То есть, при увеличении входного сигнала выше +7В, на стоке сигнал больше не меняется. В общем, все измерения проводил при +5В на затворе.
Результаты измерений на разных частотах.
По вертикали, сверху вниз 1МГц, 3МГц, 6МГц, 10МГц.
По горизонтали, левый сигнал - сигнал на затворе, правый сигнал - сигнал на стоке.
Напряжение питания на стоке +12В (11.97 если точно).
Потребляемый ток при нагрузке 27 Ом в цепи стока:
1МГц = 230мА
3МГц = 240мА
6МГц = 257мА
10МГц = 277мА
Нагрев транзистора на разных частотах при 12В питании, транзистор без радиатора:
1МГц = 33С
3МГц = 34.7С, рядом нагрев при увеличении питания с 12 до 24В, нагрев 46.4С, 5Вт 27 Ом резистор стал чернеть.
6МГц = 37.4С
10МГц = 40.9С
Итог.
Результат полностью подтвердил все ожидания! Ган транзистору по-сути не нужен специализированный драйвер, той же самой 541-й или любой HC/AC логики вполне хватит, или для феншуя TLV3501AID. Нагрев очень низкий, поэтому, и для 1.7МГц и для 3МГц, думаю, вполне можно будет собрать и класс-Е и двухтактный передатчик. Получится весьма компактно.
Что думаете? Какую практическую мощность передатчика получится с такого транзистора получить?
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, 2024-Сен-29, 01:43 | Сообщение # 8 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Провёл первые, реальные испытания ган-а в передатчике класса ЕШ. На макетном стенде просто прикрутил его на медный радиатор рядом с карбидом из прошлых испытаний. Зелёная стрелка ган транзистор, жёлтая стрелка карбид транзистор, синие стрелки - карбид-кремниевые диоды Шоттки, которые работают в качестве конденсаторов.
Схема стенда вот такая. Драйвер для ган-а не делал, подавал сигнал на затвор амплитудой 5В прямо с генератора:
В принципе, все измерения и результаты написал на схеме.
1. Питание 31В, ток 760мА, КПД 85%, выходная мощность на эквиваленте нагрузки 20Вт, нагрев корпуса транзистора при включённом кулере 43 градуса. Соотношение Uпит/Uстока = 3.1 раза. Сигнал на стоке и нагрев:
2. Питание 55В, ток 1.26А, КПД 86%, выходная мощность на эквиваленте нагрузки 60Вт, нагрев корпуса транзистора при включённом кулере 56 градусов. Соотношение Uпит/Uстока = 3.2 раза. Сигнал на стоке и нагрев:
3. Все измерения выше проводились при 4-х диодах Шоттки, подключённых параллельно стоку-массе ган транзистора. Когда же только начинал эксперимент, с прошлых тестов на карбид-кремниевом транзисторе на макете было 2 диода Шоттки. И вот, какой результат был с 2 диодами:
- Мощность выходная была около 45Вт (меньше, чем с 4 диодами), КПД был около 75% (тоже меньше), потребляемый ток при 55В был 1.1А, нагрев транзистора был 95 градусов, соотношение Uпит/Uстока = 4.4 раза:
То есть, поскольку у ган транзистора все ёмкости (входные, проходные, выходные) значительно меньше, чем у карбид-кремниевых транзисторов, пришлось ставить больше диодов Шоттки, чтобы вогнать его в рабочий класс ЕШ.
Класс ЕШ переводится как класс Е, модернизированный нашим Швондером). Оригинальный класс Е, это когда транзистор и все его выходные цепи настроены строго в резонанс на рабочую частоту. Такую схему сложно повторять, сложно настраивать. Поэтому, немного ушли от резонанса, чуть-чуть пожертвовав КПД, но, зато не нужно практически ничего настраивать. Наряду с этим, раньше параллельно транзистору ставили обычные кондёры, добиваясь приемлемого соотношения Uпитания к Uстока (3-4 раза), но, эти кондёры могут вызывать весьма сильный ВЧ звон, который мог попадать на затвор транзистора, что могло привести к его пробою. Поэтому, я придумал вместо кондёров ставить высоковольтные, карбид-кремниевые диоды Шоттки. Их п-н переход работает как конденсатор, не вызывая ВЧ звона.
Предварительный итог.
За GaN транзисторами однозначно будущее. Их главное преимущество - всего 5В на затвор для полной раскачки и десятки пикофарад входная ёмкость затвора, что позволяет практически исключить дорогостоящий драйвер. Транзистор CID10N65F в эксперименте выполнен в пластиковом ТО-220F корпусе, поэтому, очень большой мощности с него, конечно не получишь. Максимальное питание для класса ЕШ 60-65В, выше - уже будет сильно перегреваться. С другой стороны, на таком транзисторе можно будет построить отличный, компактный АМ передатчик небольшой мощности (50-80Вт).
Промышленность уже выпускает GaN транзисторы в ТО-247 корпусе, но, их цена пока от 20-40$ за штуку, что, дороговато для экспериментов. Таким образом, маломощные передатчики уже можно делать на ган-ах, а мощные пока на карбидах.Добавлено (2024-Сен-30, 22:53)
---------------------------------------------
Поигрался ещё пару дней с ган-ами, какой могу сделать заключительный вывод. Если кратко - они слишком быстрые, слишком высокочастотные для наших целей. Из-за очень высокой скорости работы, появляется довольно ощутимый ВЧ звон на стоке, который я побороть не смог. Пробовал на стоковую ножку вешать ферритовые бусины, но, там реактивные токи огромные, поэтому бусинка греется выше 100 градусов, и это всего лишь при 30В питании. Да, она заметно снижает ВЧ звон, но, это всё равно не дело.
Проблема в том, что этот ВЧ звон проникает на затвор, разгоняя амплитуду сигнала выше предельных +7В, то есть транзистор в таком режиме долго не протянет.
В общем, маломощные 50-80Вт передатчики на 3МГц на ган-ах делать можно, но, нужно очень-очень грамотно разрабатывать весь ВЧ монтаж, по самым строгим критериям ВЧ топологии. Просто так, "на проводках" не пойдёт.
|
| |
| |
| melatonin | Дата: Вторник, 2024-Окт-22, 23:12 | Сообщение # 9 |
|
практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 110
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 ( ) Проблема в том, что этот ВЧ звон проникает на затвор, разгоняя амплитуду сигнала выше предельных +7В, то есть транзистор в таком режиме долго не протянет.
Вот тут про это пишут: https://power-e.ru/components/osobennosti-upravleniya/
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Четверг, 2025-Янв-23, 11:46 | Сообщение # 10 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Провёл новое исследование. Сможет ли оптопара 6N137M от компании ONsemi быть в качестве драйвера для GaN транзистора.
В качестве макетки взял плату ШИМ модулятора из прошлых экспериментов. Напайку делал навесным монтажом. но, ничего страшного).
Схема эксперимента:
Задача стояла выяснить, какой будет сигнал на затворе ган транзистора на разных частотах и какой будет потребляемый ток всей схемы.
Эксперимент 1.
Ган транзистор подключён сразу на выход оптопары, то есть, Q1 пока отсутствует, затвор ган-а подключён к R3. На светодиод с генератора подан сигнал амплитудой 5В, подстроечный R1 пока отсутствует. То есть, 5В сигнал с генератора подавался на R2.
100кГц
1.7МГц
3МГц
Итог.
По даташиту максимальный нагрузочный ток 6N137M 50мА. При резисторе R3 100Ом, потребляемый ток без входного сигнала 5мА, с любым сигналом 30-33мА. То есть, уменьшать резистор R3, чтобы сделать сигнал более прямым уже не стоит. Таким образом, одна только 6N137M для ган транзистора:
- отличный драйвер верхнего плеча для ШИМ модулятора (100кГц)
- хороший драйвер для передатчика 1.7МГц
- ну, так себе драйвер для передатчика 3МГц.
Не спорю, можно было бы R3 уменьшить, но, не хотелось подводить микросхему к предельным параметрам.
В следующем сообщении продолжу.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Четверг, 2025-Янв-23, 11:55 | Сообщение # 11 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Эксперимент 2.
Теперь на выход оптопары подключил 2N7000 полевик. Затвор ган транзистора подключался к стоку 2N7000. Подстроечный резистор R1 пока так же отсутствует (он будет в самом последнем тесте), напряжение на светодиод (через R2) 5В амплитуда.
Стоковый резистор 2N7000 100Ом. Потребляемый ток с сигналом и без сигнала около 60мА. Дело в том, что на выходе оптопары всегда логическая 1 (из-за резистора R3, поэтому 2N7000 полевик всегда открыт и греет своим открытым переходом свой стоковый резистор.
1.7МГц
3МГц
Стоковый резистор 2N7000 50Ом.
1.7МГц
3МГц
6МГц
При 50Ом стоковом резисторе:
- потребление схемы без сигнала 102мА
- 1.7МГц 80мА
- 3МГц 80мА
В следующем сообщении продолжу.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Четверг, 2025-Янв-23, 12:01 | Сообщение # 12 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Стоковый резистор 2N7000 22Ом.
Схема без сигнала потребляет 213мА
- 1.7МГц 128мА
- 3МГц 121мА
- 6МГц 109мА
- 10МГц 112мА
Сигналы на затворе ган-а.
1.7МГц
3МГц
6МГц
10МГц
Вывод.
Со стоковым резистором у 2N7000 22Ом драйвер уже можно использовать вплоть до 10МГц. Ган транзистор начинает открываться, если память не изменяет, от около 1.4В на затворе. Судя по графикам, минимальная полка при 22Ом резисторе около 0.4-0.5В, так что, транзистор будет закрываться полностью, что - отлично.
В следующем сообщении продолжу.
|
| |
| |
| shwonder | Дата: Четверг, 2025-Янв-23, 12:07 | Сообщение # 13 |
 просветленный
Группа: Модераторы
Сообщений: 3331
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 ( ) - ну, так себе драйвер для передатчика 3МГц.
Правильнее было бы на выход 6н137 подключить 74нс541, и даже при питании 5в , а лучше 6в.
Я тут руководствуюсь не минимумом цены, тут тоже надо иметь пределы. За 3 копейки нормальный передатчик не сделать.
Ну и форма напряжения на затворе может отличаться при работе в реальных условиях, когда подано силовое питание.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Четверг, 2025-Янв-23, 12:19 | Сообщение # 14 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Нагрев деталей при 5В питании, 22Ом резисторе, на частоте 6МГц
2N7000 транзистор, 40 градусов
Стоковый 0.25Вт (китайцы его называют 0.5W) 22Ом резистор, почти 100 градусов
Этот резистор греется не сколько от частоты сигнала, сколько сам по себе, т.к., как писал выше, на выходе оптопары всегда логическая 1, 2N7000 открыт и этот резистор выделяет тепло. В реальном применении, думаю нужно ставить 1Вт по нашим ваттам, или 3W по китайским. Будет греться градусов до 60-70, что уже нормально.
И теперь, самое интересное. Подключил на вход подстроечный резистор 2кОм, чтобы проверить, можно ли менять скважность выходного сигнала, меняя ток, протекающий через светодиод оптопары. В соседней теме (9 сообщение https://radiorubka.at.ua/forum/17-309-1 ) обнаружил этот эффект с оптодрайверами, поэтому, решил выяснить, сохраняется ли этот эффект и с логической оптопарой.
Смотрите видео:
Ссылка на видео, если у кого проблемы с ютубом: https://disk.yandex.ru/i/06G9WfGmLJaQTw
В начале видео сигнал 3МГц, потом 6МГц, потом 10МГц, потом 1.7МГц и 100кГц.
Как видим, меняя ток через светодиод 6N137M, скважность можно регулировать примерно от 40% до 60%. Думаю, это замечательное открытие для построения полномостовых и полумостовых передатчиков, дабы убрать сквозной ток.
Вот такое исследование получилось.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, 2025-Мар-30, 23:45 | Сообщение # 15 |
|
мастер
Группа: Пользователи
Сообщений: 1001
Статус: Offline
| Это заметка больше для себя, чтобы не забыть, а то уже голова кругом идёт от этих драйверов)).
Решил подыскать полумостовой драйвер для ган транзисторов, в корпусе SOP, SOIC-8, который бы смог работать от 4В, обеспечивать время нарастания и спада лучше 10нс, и смог бы выдержать бутстрепное питание выше 150В.
Уже пятый день ищу, не могу найти подходящий... Все сайты известные прошерстил, нету.. И тут меня осенило! Зачем искать от 4В, когда можно попробовать найти 12В, а после драйвера поставить разделительный конденсатор и быстродействующий диод, который бы отсекал отрицательную полуволну. Для теста решил попробовать макет с драйвером UCC27524DR.
В мультисиме смоделировал схему, там ган-ов нет, поэтому взял 2N7000, т.к. ёмкости затворов у них похожи. Опытным путём подобрал ёмкость конденсатора в 300пф. Картинка получилась красивой. Стал паять.
Сначала всё делал на длинных выводах резисторов, но, это давало сильный ВЧ звон, поэтому укоротил всё до максимума, звон стал меньше. Вот схема:
1. Разделительный конденсатор показал хороший результат из двух по 200пф, жёлтые китайские ноунейм "капельки", в сумме 400пф.
2. Затворный резистор показал оптимальный результат при 15Ом, и фронты максимально быстрые, и отрицательный импульс в районе -1В. Напомню, что для Ган-ов отрицательный импульс не должен быть выше -2В.
3. Время нарастания и спада на 3.3МГц для двух параллельно соединённых ган-ов получилось 9.5/9нс. Ниже напишу, зачем два в параллель.
4. Положительная амплитуда +5.22В, что отлично! (паспортный предел до 7-10В).
Сигнал на затворе. Важно! Картинку осциллографа получил при использовании земляной пружинки на щупе! С "крокодилом" отрицательный импульс был до -2В, т.к. земляная петля "крокодила" ловила помехи.
В общем, 12В, потребляемый ток 14мА, сигнал на затворе в пределах нормы и с хорошими фронтами. Транзисторы холодные, микросхема холодная, шунтирующий 1N4148 холодный.
Теперь, почему два ган-а запараллелил.
Так подсказал китайский ИИ DeepSeek https://chat.deepseek.com Очень долго его сегодня "мучал")). Изначально дал ему задачу рассчитать нагрев транзисторов в мостовом передатчике при 100В питании и 3.3МГц. Вбил все важные данные транзисторов, примерные параметры выходного трансформатора и 50Ом нагрузку. Затем подставлял параметры разных карбидов, а ИИ высчитывал их нагрев. Все они грелись в районе 25-15Вт, что совпадало с расчётами программы: https://radiorubka.at.ua/forum/17-318-1
Затем пришла идея проверить ган транзистор. Сначала результат был плохой. Одни транзистор грелся до 18Вт. Это очень большой нагрев для ТО-220F корпуса... Затем попросил ИИ вычислить, какой будет нагрев, если в каждое плечо поставить 2 ган-а в парралель. Результат ошарашил.. Около 5Вт (4.4). Это отличный нагрев!
Так же попросил ИИ просчитать потери при подключении быстродейстующих SiC диодов Шоттки https://www.lcsc.com/product....59.html , шунтирующих, параллельно транзисторам. Они вносят несущественные потери.
В общем, результат очень впечатляющий!!
Один ган стоит 1$ https://www.lcsc.com/product....32.html всего их потребуется 8шт, что в разы дешевле, чем если покупать SiC карбиды. Корпус транзистора изолирован, что будет удобно для крепления к радиатору без всяких прокладок.
В общем, отдохну и пойду искать подходящий, 12В драйвер.
|
| |
| |
|
