|
Сравнение SiC мосфетов для передатчика класса Е(ЕШ)
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, 2024-Дек-15, 02:39 | Сообщение # 1 |
 опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Информация очень интересная, поэтому выношу её в отдельную тему.
Наверняка многим, кто разрабатывает передатчики всегда было интересно, как в одном и том же передатчике будут вести себя разные карбид-кремниевые транзисторы. Имеется в виду одной категории, на одинаковое напряжение Uсток-исток 1200В, но на разное сопротивление перехода. Логика подсказывает, что, чем меньше сопротивление канала, тем по идее лучше? А вот и нет!
В мультисиме сегодня обнаружил модели карбид-кремниевых транзисторов от японской компании ROHM Semiconductor. Опыт работы с карбидами у меня в реальности есть, поэтому могу сказать, что модели в программе исправные и работают весьма точно!
Покупать в реальности все карбиды, чтобы их протестить, оно, конечно правильно, но очень дорого и долго, поэтому, привожу тестирование из программы. 4-х транзисторов, на сопротивление канала 80мОм, 160мОм, 280мОм и 450мОм.
Можете сравнить даташиты, (выходные ёмкости, что важнее всего в классе Е очень близки):
1. SCT2280KE https://www.lcsc.com/datashe....061.pdf Это аналог GC2M0280120D https://www.lcsc.com/datashe....049.pdf
2. SCT2160KE https://www.lcsc.com/datashe....680.pdf Это аналог GC2M0160120D https://www.lcsc.com/datashe....048.pdf
3. SCT2080KE https://www.lcsc.com/datashe....654.pdf Это аналог GC2M0080120D https://www.lcsc.com/datashe....046.pdf
4. SCT2450KEC https://www.lcsc.com/datashe....003.pdf Аналога у SupSiC нет.
Процесс тестирования.
Передатчик класса ЕШ, то есть, класс Е, но не резонансный. Силовое питание 100В. Между сток-истоком подключил переменный конденсатор. В реальности туда лучше ставить карбид-кремниевые диоды Шоттки на 1200В. Так вот, подбирал такую ёмкость, чтобы:
- ничего в схеме больше не настраивать, кроме этого конденсатора (диодов Шоттки в реальности)
- добиться максимально возможно ровной "Л" - колокола на стоке
- добиться максимальной выходной мощности
- добиться минимального нагрева транзистора
- добиться минимальной амплитуды напряжения на стоке
Результаты:
1. Транзистор с переходом 80мОм
2. Транзистор с переходом 160мОм
3. Транзистор с переходом 280мОм
4. Транзистор с переходом 450мОм
Сводная таблица результатов:
Цены брал с сайта LCSC. У 450мОм карбида от ROHM нет аналога от китайского SupSic, поэтому в таблице аналога нет.
Выводы.
80мОм транзистор даёт максимальную мощность, однако, ощутимо греется и имеет самую высокую амплитуду на стоке. Хороший вариант для передатчиков класса Е(ЕШ) до 300-350Вт.
160мОм транзистор даёт высокую мощность, допустимо греется и имеет самую низкую цену. Оптимальный вариант для передатчиков класса Е(ЕШ) до 500Вт мощности.
280мОм транзистор даёт пониженную мощность, допустимо греется, и имеет низкое напряжение на стоке. Его оптимально применять в передатчиках класса Е(ЕШ) с мощностью до 1кВт, в параллельном включении.
450мОм транзистор даёт самую низкую мощность, имеет самое низкое напряжение на стоке, но заметно греется. Применять его нет смысла нигде.
В следующем сообщении покажу модель передатчика класса ЕШ на 280мОм транзисторах с мощностью 1.2кВт.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, 2024-Дек-15, 03:27 | Сообщение # 2 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Передатчик класса ЕШ на двух транзисторах с сопротивлением канала 280мОм.
Напряжение питания 200В.
Выделение тепла на каждом транзисторе по 43Вт.
Выходная мощность 1.2кВт
Напряжение на стоке 762В
Ёмкость шунтирующего конденсатора 295пф.
КПД 94%
Как уже ранее писал, применение любых шунтирующих конденсаторов на сток-истоке даёт сильный ВЧ звон. Чтобы его избежать, лучше применять карбид-кремниевые диоды Шоттки на 1200В. Они своим п-н переходом работают как конденсаторы, не вызывая ВЧ звона.
Теперь, важный момент!! У конденсатора ёмкость постоянная, у диода же ёмкость п-н перехода зависит от обратного напряжения!! Это говорит о том, что, если вы настроите диодами колокол "Л" на стоке при напряжении питания 30В, то при 200В у вас всё уплывёт, т.к. ёмкость диода Шоттки сильно уменьшится.
Итак, для примера берём этот диод, GC4D20120A https://www.lcsc.com/datashe....079.pdf и смотрим график его ёмкости от обратного напряжения:
На стоке у нас, как вы помните, 762В, возьмём с запасом 800. При 800В, ёмкость п-н перехода диода будет около 60пФ. У нас же ёмкость расчётного, шунтирующего конденсатора получилась около 300пф. Следовательно, чтобы у нас на стоке сохранялся ровный "Л" сигнал при максимальном напряжении питания в 200В, к сток-истоку нужно подключить 4-5шт таких диодов.
При 100В питании эти диоды греются примерно до 55 градусов. При 200В питании сказать сложно, нужно смотреть в реальности тепловизором. Если температура будет больше 80 градусов, диоды нужно будет посадить на небольшие радиаторы.
Следующий момент.
Вы подали на модулятор 200В силовое питание. Начальная ШИМ скважность у вас выставлена на 50%. То есть, на передатчик в режиме молчания будет поступать 100В. При 100В питании напряжение на стоке снизится с 760В до примерно 350В. Смотрим на график ёмкости диода Шоттки и видим, что его ёмкость начнёт увеличиваться. Примерно с 60пф до 115пф. Если вы поставили в передатчик 4 диода, то их суммарная ёмкость станет около 450пф. Смотрим, что получилось:
Питание 100В (половина от 200)
Выходная мощность с 1.2кВт снизилась в 4 раза до 0.3кВт
Напряжение на стоке снизилось примерно до 350В
Нагрев транзисторов снизился с 45Вт до 33Вт.
КПД с 94% снизился до 83%
Всё замечательно.
Заключение.
Хоть до 1200В предельного порога карбид-кремниевого транзистора ещё далеко (при 200В питании, правильной настройке и согласованной антенне), но, в передатчиках такой мощности обязательно нужно ставить защиту по превышению КСВ. Обязательно!
1. Обрыв антенны. Транзистор прошьёт по превышению напряжения сток-исток
2. КЗ в антенне. Транзистор сгорит от превышения тока, и, возможно от превышения напряжения на стоке.
Сообщение отредактировал kotrad78 - Воскресенье, 2024-Дек-15, 03:38 |
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Среда, 2024-Дек-18, 19:35 | Сообщение # 3 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Приехала новая игрушка - ювелирные весы, которые измеряют вес с точностью до 0.01 грамма. Поэтому сразу измерил вес карбид-кремниевых транзисторов.
1. Американский, б/у C2M0080120D от компании Cree(WoolfSpeed), вес 6.16гр.
2. Китайский, новый, GC2M0080120D от компании SUPSiC, вес 6.21гр.
У американского медные ноги частично обкушены, но есть следы припоя. Если предположить, что китайский завод делает транзисторы на американских(или японских, корейских станках), по одинаковой (скорее всего) технологии, то:
- вес и толщина подложки и ножек одинаковая
- вес кристалла самого транзистора тоже одинаков.
То есть, можно предположить, что китайский карбид такой же по мощности и напряжению, как и американский. Ну, по крайней мере 700-800В на стоке и 550Вт в нагрузке передатчика он выдерживает.
И ещё один транзистор, просто, для сравнения. Обычный, кремниевый IRFP250N от компании IR
Вес существенно меньше, т.к. сплав карбида с кремнием, видимо тяжелее простого кремния. А может быть просто из-за того, что толщина кристалла разная. Карбиды ведь на 1200В рассчитаны, а IRFP250 всего на 200В.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Суббота, Вчера, 06:50 | Сообщение # 4 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Решил сравнить 4 транзистора, все на 1200В сток-исток:
CI19N120SM от Tokmas Rds = 165мОм 3.57$ https://www.lcsc.com/product....33.html
GC2M0160120D от SUPSiC Rds = 160мОм 3.3$ https://www.lcsc.com/product....48.html
GC2M0080120D от SUPSiC Rds = 80мОм 4.66$ https://www.lcsc.com/product....46.html
C2M0080120D от WoolfSpeed Rds = 80мОм 14.76$ https://www.lcsc.com/product....16.html
80-й карбид от WoolfSpeed тестировал б/у шный, около 3.25$ , брал когда-то тут https://aliexpress.ru/item/1005005545612116.html (для некоторых стран ссылка может быть скрыта, "такой страницы нет", но товар есть)
Цены указаны на сегодняшнее число, 08.02.2025
Думал, сейчас каааак затестю их, каааак выложу разные результаты. И, что вы думаете? Работа в передатчике класса Е(ЕШ) у всех этих карбидов практически одинаковая. Вот досада)). Прямо не интересно вообще.
Но, зато почерпнул немного новой информации в результате тестов.
1. Шунтирующие диоды
- Для 160мОм карбидов, параллельно сток исток надо ставить 3шт карбид-кремниевых диода GC4D10120A
- Для 80мОм карбидов, нужно ставить 2 диода.
Так достигается максимальный КПД передатчика при минимальном напряжении на стоке.
2. Максимальное безопасное напряжение питания для всех карбидов в классе Е(ЕШ) - не более 100В. И сейчас объясню почему.
Карбид может сгореть:
- или от превышения напряжения на стоке
- или от перегрева.
Напряжение на стоке может стать выше 1кВ, если будет высокий КСВ в антенне. Вот, примеры. Питание 100В, подключена антенна.
Согласующим устройством добился КСВ 1.07, напряжение на стоке около 300В (тут у меня на антенне резонанс)
Затем уменьшил частоту до 3МГц, КСВ удалось добиться около 2.3-2.5, напряжение на стоке около 630В
Как видим, с увеличением КСВ от 1 до 2.5 напряжение на стоке выросло в 2 раза. Поэтому, если будет обрыв антенны, или КСВ станет ещё больше, амплитуда на стоке может превысить 1кВ и транзистор прошьёт. Так что, и защиту надо делать дополнительную, и, более 100В лучше не подавать.
Обратная сторона вопроса.
КСВ 2.5, на стоке 630В, нагрев транзистора 40 градусов, шунтирующих диодов 87 градуса, "анодного" альсифер дросселя 72 градуса.
Теперь КСВ 1.07, на стоке 300В, нагрев транзистора 75 градусов, дроссель и шунтирующие диоды около 40.
75 градусов, учитывая, что у меня идеальная система охлаждения - транзистор на медной шине, плюс кулер компьютерный дует на максимум - 75 градусов это много, это очень много.
То есть, зависимость у нас такая:
- либо низкий нагрев транзистора, но высокое напряжение на стоке.
- либо высокий нагрев транзистора, но низкое напряжение на стоке.
Это вот такая особенность у передатчиков класса Е(ЕШ).
Поэтому, максимальное безопасное напряжение для передатчиков класса Е(ЕШ), выполненных на 1200В карбид-кремниевых транзисторах, это 100В. То есть, вы подаёте на модулятор 100В питание, на выходе модулятора будет U/2 50В. При разговоре или музыке, амплитуда на передатчик будет поступать примерно 5...95В. Так у вас и транзистор не перегреется, и при КСВ в антенне до 3 его не прошьёт по сток-истоку. Но, защиту всё равно нужно ставить от обрыва антенны или высокого КСВ.
Ещё одна заметка. Все эти транзисторы могут выжить при кратковременном нагреве кристалла до 150 градусов, это самый максимальный предел. В переводе на корпус, это будет градусов 110-115. Поэтому, в теории можно с модулятора подавать 150В, но, лично я бы так насиловать транзисторы не стал. Не рекомендую.
В следующем сообщении продолжу.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Суббота, Вчера, 07:26 | Сообщение # 5 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| 3. На сколько существенна разница между 80мОм и 160мОм карбидами?
Не очень большая, около 10-13 градусов в нагреве. Но, если добиваться максимальной надёжности, то, лучше, конечно ставить 80мОм транзисторы.
Например, 70В, 160мОм транзистор с 3 шунтирующими диодами греется около 65 градусов
При том же напряжении 80мОм транзистор с 2 диодами греется около 55 градусов
Это при КСВ 1.07, то есть тот случай, когда напряжение на стоке минимальное, а нагрев транзистора максимальный.
4. Есть ли разница между китайским 80мОм карбидом SUPSiC и американском 80мОм карбидом WoolfSpeed?
Нет, вообще никакой разницы. Я это как бы и раньше уже знал, но сегодня ещё раз подтвердил.
Так что, китайцы молодцы однозначно, их карбиды, новые, "в масле" с завода стоят примерно в 4-5 раз дешевле американских.
Можно брать:
- GC2M0080120D от SUPSiC Rds = 80мОм 36A 4.66$ https://www.lcsc.com/product....46.html
- GC2M0080120D1 от SUPSiC Rds = 80мОм 34A 3.92$ https://www.lcsc.com/product....83.html
Версия D1 имеет единственное отличие, на 2А менее мощная. Сам лично не тестировал, но даташиты у них абсолютно одинаковые, кроме предельного максимального тока. Могу предположить, что D1 это "отбраковка" от основной серии, т.е. транзисторы, у которых силовой кристалл получился чуть-чуть меньше. Но, это только моё предположение.
5. Ещё одна интересная заметка - метод измерения сигнала на затворе.
На частоте 3МГц нужно пользоваться земляной пружинкой на щупе осциллографа, чтобы измерить точный сигнал. Земляной крокодил ощутимо искажает показания. Вот, примеры.
- сигнал на затворе 80мОм карбида при силовом питании 100В, земляной проводок с крокодилом:
- сигнал на затворе 80мОм карбида при силовом питании 100В, земляная пружинка:
ВЧ дребезг при закрытии транзистора - неизбежное зло, от которого никуда не деться. На стоке импульс в несколько сотен вольт, и он неизбежно через внутреннюю ёмкость транзистора попадает на затвор. Ведь все эти карбиды предназначены для работы в цепях 100кГц +/-, это мы уже их приспособили на мегагерцы)).
Я пробовал на затвор вешать ферритовую бусину, звон полностью пропадает, но буквально на 10сек, пока ферритовая бусина не раскалится до 140 градусов и не потеряет свои ферромагнитные свойства.
Это, кстати ещё одна причина, почему не стоит подавать силовое питание выше 100В. Чем выше питание, тем выше будет этот ВЧ дребезг. В какой-то момент он по своей амплитуде достигнет порога открытия транзистора и начнётся его лавинный нагрев и перегрев. В принципе, я же брал ноунейм, неизвестные ферритовые бусины с Али.. Думаю, на будущее можно будет подыскать на LCSC бусины с меньшей проницаемостью, чтобы меньше грелись. Да, надо будет заняться этим.
Вот такое получилось исследование. Надеюсь, кому-нибудь да пригодится.
|
| |
| |
| rw6bw73 | Дата: Суббота, Вчера, 15:44 | Сообщение # 6 |
 практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 138
Статус: Offline
| А как насчет транзисторов SUPSIC GC3M0065090 ?
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Суббота, Вчера, 18:20 | Сообщение # 7 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Цитата rw6bw73 (  ) SUPSIC GC3M0065090
У него предел сток-исток 900В, не 1200, как у других, поэтому систему защиты от высокого КСВ и обрыва антенны нужно будет делать более тщательной.
С другой стороны, у него меньшее пороговое напряжение открытия на затворе. У 1200В карбидов полное открытие от 18В, у этого от 15В. Даже, можно будет до 13В опустить. Драйвер меньше греться будет.
Так же, у него чуть меньшая проходная ёмкость сток-затвор, около 5пф, а у 1200В около 7-8пф. В теории это может уменьшить амплитуду ВЧ звона. Так же у него и меньшая выходная ёмкость, поэтому шунтирующих диодов может потребоваться больше (3-4шт).
В общем, неоднозначное пока мнение.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Суббота, Вчера, 18:59 | Сообщение # 8 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Цитата rw6bw73 ( ) А как насчет
Появилась новая идея, попробовать вот эти транзисторы, KNSCHA KN3M65017D https://www.lcsc.com/product....98.html
Они стоят 2.9$, на 1700В сток-исток, ёмкость затвора в 4 раз меньше, чем у 1200В карбидов на 80мОм и 160мОм, правда сопротивление канала 650мОм. Зато проходная ёмкость со стока на затвор всего 1.8пф, вместо 7-8 у 1200В.
То есть, можно будет попробовать поставить 2 таких карбида в параллель. Сопротивление канала станет около 300мОм. Правда шунтирующих диодов может потребоваться 4-5шт.
Зато получим почти 300Вт на выходе, с большой надёжностью по напряжению на сток-истоке, с уменьшенным ВЧ звоном. И с допустимым нагревом.
Проводя вчера эксперименты я выяснил, что ТО-247 корпус на медной шине с принудительным обдувом можно рассеивать до 40Вт тепла, при этом температура корпуса будет 75 градусов. В модели на схеме выше стоит транзистор с 300мОм каналом и на нём рассеивается 40Вт тепла.
В теории, если мы поставим 2 карбида с каналами по 650мОм, на каждом будет рассеиваться около 22Вт тепла, и температура будет около 60 градусов. В общем, надо будет попробовать).
|
| |
| |
| rw6bw73 | Дата: Суббота, Вчера, 19:41 | Сообщение # 9 |
|
практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 138
Статус: Offline
| SUPSIC GC3M0065090
У него предел сток-исток 900В, не 1200, как у других, поэтому систему защиты от высокого КСВ и обрыва антенны нужно будет делать более тщательной
Такие транзисторы хочу поставить мост при 150 вольтовом питании. Я думаю что им будет лече работать нежели в классе Е
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Суббота, Вчера, 21:09 | Сообщение # 10 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Для мостового класса отличный вариант, поскольку в мостовой схеме напряжение на стоке равно напряжению питанию, ну, может в 1.5-2 раза могут быть ВЧ звоны. Так что, если для мостовой схемы, например питание будет 150В, то транзисторы с большим запасом по надёжности можно ставить от 600В сток-исток.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Суббота, Вчера, 21:19 | Сообщение # 11 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Цитата rw6bw73 ( ) Такие транзисторы хочу поставить мост
Только не забывайте очень важную особенность мостовой схемы.
1. У всех полевых транзисторов есть не только положительный предел напряжения на затворе, но и отрицательный. Например, для вашего транзистора положительный предел +19В, а отрицательный -8В
2. Если вы затвор транзистора будете питать с помощью трансформатора, то на его выходе будет как положительная волна, так и отрицательная. Например, для полного открытия вашего транзистора, ему нужна положительная волна в +15В. Это значит, что с трансформатора будет поступать на затвор и +15В и -15В. Ваш карбид сгорит от этого.
Таким образом, вам нужно будет придумать, как отсечь или снизить отрицательную волну после трансформатора до безопасного уровня.
Либо же, можно подобрать не карбиды, а обычные, кремниевые. У многих из них и положительный и отрицательный предел до 30В достигает:
 Добавлено (2025-Фев-08, 21:38)
---------------------------------------------
Цитата rw6bw73 ( ) мост
Вот, идеальный вариант для моста STMicroelectronics STW28N65M2 https://www.lcsc.com/product....50.html
Сток-исток 650В
Сопротивление канала 160мОм (как у карбидов)
Предел для затвора +/- 30В.
Полностью открывается при +12В на затворе.
Время нарастания и спада 8-10нс (быстрее, чем у многих карбидов).
Цена 3.21$
Самое лучшее решение для мостового передатчика.
|
| |
| |
| rw6bw73 | Дата: Суббота, Вчера, 23:49 | Сообщение # 12 |
|
практикующий
Группа: Пользователи
Сообщений: 138
Статус: Offline
| Драйвер IXXD 609 Раскачка моста через трансформатор Как ограничить отрицателную полуволну ?
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, Сегодня, 03:44 | Сообщение # 13 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Цитата rw6bw73 ( ) Как ограничить отрицателную полуволну ?
Не знаю). Никогда не строил мостовые передатчики.
Но, учитывая последний опыт с оптодрайверами, я бы полностью отказался от входного трансформатора и сделал бы мостовой передатчик на оптодрайверах, у которых по умолчанию только положительный меандр на выходе и нет отрицательного.
Если я правильно понял принцип его работы, то структурная схема получается вот такая:
1. Транзисторы Q1 и Q2 инвертируют входной сигнал с синтезатора.
2. Если вы будете использовать SUPSIC GC3M0065090, то ему для полной раскачки нужно 15В на затвор.
3. Для Q3 и Q5 эти 15В берутся от блока питания, или лм-ки (если питание всего передатчика 24В), или от DC/DC повышайки, если базовое питание передатчика 12В.
4. Для затворов Q4 и Q6 требуются фантомные 15В. Их получаем по знакомой нам конструкции ШИМ модулятора, с помощью DC/DC модулей и синфазных дросселей по входу и выходу. Я не стал подробно их рисовать, сделал в одном квадратике вместе с 15В лм-кой.
В этом узле меня смущает только один момент... В ШИМ модуляторе у нас через эти дроссели шло 100кГц 100В. Тут же будет идти 3МГц 100В. Выдержат ли мелкие синфазные дроссели такую напругу? И как эффективно они будут подавлять такую частоту и мощность, чтобы она не шла через DC/DC модуль.. Надо, в общем это проверять в железе. Возможно, как вариант поставить дополнительные синфазные дроссели, 2 последовательно по входу, 2 последовательно по выходу DC/DC модуля.
5. Выходной трансформатор и ФНЧ из схемы Швондера: https://radiorubka.at.ua/forum/8-307-1
Главная особенность этой схемы - возможность очень простой и плавной регулировки скважности для каждого карбида. В теории, можно полностью убрать сквозной ток через выходные транзисторы, снизив им нагрев, повысив КПД и конечную мощность передатчика.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, Сегодня, 06:34 | Сообщение # 14 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Цитата kotrad78 ( ) В этом узле меня смущает только один момент... В ШИМ модуляторе у нас через эти дроссели шло 100кГц 100В. Тут же будет идти 3МГц 100В. Выдержат ли мелкие синфазные дроссели такую напругу? И как эффективно они будут подавлять такую частоту и мощность, чтобы она не шла через DC/DC модуль.. Надо, в общем это проверять в железе.
Проверил.
На выходе 3МГц передатчика выставил напряжение 130В пик-пик. Это, конечно не меандр 130В, но, общее представление составить можно. Подключил параллельно выходу передатчика сначала 2 синфазных дроссели по 50мГн, и DC/DC модуль между ними. Затем 4 дросселя.
Напряжение на выходе передатчика, 130В пик-пик
Напряжение на DC/DC модуле, между двумя дросселями, около 50В п-п
Нагрев.
Модуль никак не греется, дроссели греются примерно до 42 градусов
То есть, 3МГц 130В сигнал всё же разогревает дроссели. Хоть температура и маленькая, всё равно, это не очень хорошо. Поэтому, подключил 4 дросселя)).
Напряжение на DC/DC модуле снизилось с 50 до 28В
В следующем сообщении продолжу.
|
| |
| |
| kotrad78 | Дата: Воскресенье, Сегодня, 06:52 | Сообщение # 15 |
|
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 698
Статус: Offline
| Нагрев с 42 градусов упал до 33.
Вот это уже отлично.
Итого, блок фантомного питания становится таким:
Учитывая все плюсы мостовой схемы передатчика, думаю, можно будет так заморочиться.
И ещё, при 18В питании, на частоте 3МГц "80-й" карбид с оптодрайвером AT3120 потребляет 122мА. При 15В, думаю потребление снизится где-то до 85-90мА. Таким образом, думаю можно будет отказаться от 12/24В DC/DC модуля + лм-ки и сразу поставить один 15В модуль B1215S-3WR2. Да, у него нет стабилизации напряжения, но, если входные 12В будут стабильны, то и выходные 15В тоже. Так, думаю будет лучше. И модуль меньше греться будет, чем 12/24. И на лм-ку радиатор дополнительный вешать не придётся.
Ссылка на модули: https://aliexpress.ru/item/1005005572313762.html
Ссылка на синфазные дроссели 50мГн (брать надо ЕЕ12 размер, самый большой, как на фото у меня, чтобы меньше грелись): https://aliexpress.ru/item/1005006187634917.html
Ну, как мысли, как идея?)
|
| |
| |
|
