Воскресенье, 2025-Янв-05, 12:21
Приветствую Вас залетный | RSS
       С А Й Т    
"РАДИОРУБКА"
Главная
Регистрация
ВХОД>>лВход
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
  • Страница 1 из 1
  • 1
ШИМ модулятор на Siс мосфетах для передатчика на ГУ-50
kotrad78Дата: Пятница, 2024-Авг-16, 21:22 | Сообщение # 1
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 606
Репутация: 7
Замечания: 0%
Статус: Offline
Появилась задумка на будущее попробовать собрать ШИМ модулятор на карбид-кремниевых мосфетах для лампового передатчика на ГУ-50. Модулятор именно анодного напряжения. 

У карбид-кремниевых транзисторов есть экземпляры, которые могут работать на 1700В. 
Например: GC2M1000170D https://www.lcsc.com/datashe....057.pdf Средняя цена 3$

И так же есть карбид-кремневые диоды на 1700В.
Например: GC3D10170H https://www.lcsc.com/datashe....084.pdf Средняя цена 5$. 

И диод и транзистор отлично будут работать на частоте ШИМ в 100кГц. Если собирать передатчик на 4-х лампах ГУ-50, то, подавая 900В на анод можно получить до 300-350Вт мощности. А 900В для 1700В диода и транзистора будет с большим запасом по надёжности. 

Допустим, возьмём рабочий ток передатчика при 900В в 600мА. Не будем кочегарить на полную, побережём лампы. Сопротивление передатчика тогда получается 900/0.6 = 1.5кОм. Минус 20% на запас, получаем 1.2кОм. 

Вот какой получается ФНЧ Баттерворта 4 порядка с полосой 15кГц для нагрузки в 1.2кОм: 

 

И вот, первая проблема. Тут как бы 300-400мкГн на сине-зелёных кольцах довольно тяжело мотать по виткам. А сейчас индуктивность получилась аж 20мГн. На сине-зелёном (самом низкочастотном) кольце из распылённого железа это получается почти 500 витков... 

 

Так ведь и провод нужен будет какой-нибудь "посильнее" по изоляции, 900В же как никак 100кГц.. Да и прокладку нужно будет делать между слоями витков, в общем, геморно... 

В общем, какие мысли у кого будут по поводу такого модулятора? Может быть, уже кто-то собирал что-то нечто подобное?
Прикрепления: 4723166.jpg (136.0 Kb) · 8213389.jpg (86.4 Kb)
 
kotrad78Дата: Воскресенье, 2024-Авг-18, 00:44 | Сообщение # 2
опытный
Группа: Пользователи
Сообщений: 606
Репутация: 7
Замечания: 0%
Статус: Offline
Нашёл в мультисиме единственный, более менее нормально работающий высоковольтный транзистор, он по своим параметрам близок к карбиду GC2M1000170D. У IRFBF30 предельное напряжение С-И 900В, поэтому, чтобы программа не ругалась, выставил напряжение питания в 850В. 
У IRFBF30 сопротивление полностью открытого канала 3.7Ом, у GC2M1000170D 1Ом. То есть в реальности, на карбиде будет выделяться ещё меньше тепла, чем в моделировании на 30-м. 

1. Подал с генератора скважность 5%. 
- на транзисторе в тепло 4Вт
- на диоде в тепло 0.4Вт
- на ламповый передатчик (1.2кОм) 8Вт. 
Синий луч - сигнал на выходе модулятора, жёлтый луч - постоянка на нагрузке 1.2кОм., клеточка осциллографа 500В.

  

2. Подал с генератора скважность 40%. 
- на транзисторе в тепло 9Вт
- на диоде в тепло 9Вт
- на ламповый передатчик (1.2кОм) 105Вт.

 

3. Подал с генератора скважность 95%. 
- на транзисторе в тепло 18Вт
- на диоде в тепло 18Вт
- на ламповый передатчик (1.2кОм) 550Вт.  

 

Результаты моделирования вполне неплохие. 

Единственная пока проблема, не могу найти решение, на каком кольце и как мотать 20мГн и 13мГн дроссели. Чем можно заменить сине-зелёные кольца, чтобы не мотать под 500витков?

Прикрепления: 1348871.jpg (138.2 Kb) · 8350743.jpg (137.5 Kb) · 2685243.jpg (135.0 Kb)
 
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск: